БЕЗОТРАЖАТЕЛЬНОЕ ПРОХОЖДЕНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ВОЛН ПРИ НОРМАЛЬНОМ ПАДЕНИИ НА СИММЕТРИЧНУЮ ТРЕХСЛОЙНУЮ СТРУКТУРУ, СОДЕРЖАЩУЮ СЛОЙ С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТЬЮ

Эффект безотражательного нормального прохождения электромагнитных волн через симметричные трехслойные структуры, содержащие слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью, вызывает большой интерес. Это обусловлено как необычным характером этого эффекта, так и его уникальными техническими приложениями. Вместе с тем эффект безотражательного прохождения электромагнитных волн исследован еще недостаточно хорошо и не все его особенности найдены и описаны. К настоящему времени эффект безотражательного прохождения рассмотрен лишь для некоторых конкретных значений диэлектрических проницаемостей и толщин симметричной трехслойной структуры. В данной работе использован общий подход, основанный на введении безразмерных толщин слоев структуры. Он позволяет исследовать эффект безотражательного прохождения электромагнитных волн безотносительно к какому-то конкретному диапазону длин волн. Показано, что наличие в трехслойной структуре слоя с отрицательной диэлектрической проницаемостью приводит к существенному изменению спектра отражения электромагнитных волн. Найдено, что в спектре отражения электромагнитных волн существуют широкие области слабого отражения. Шириной этих областей можно эффективно управлять, изменяя величину отрицательной диэлектрической проницаемости среднего слоя трехслойной структуры. Изучено влияние потерь энергии в среднем слое трехслойной структуры на спектр отражения электромагнитных волн. Полученные результаты имеют важное прикладное значение для создания новых устройств электроники, фотоники и фотовольтаики. Ил. 6. Библиогр.: 7 назв.