• Українська
  • English
ISSN 2415-3400 (Online)
ISSN 1028-821X (Print)

МЕТОД ВИМІРЮВАННЯ КОНЦЕНТРАЦІЇ НЕРІВНОВАЖНИХ НОСІЇВ ЗАРЯДУ В НАПІВПРОВІДНИКУ ТА ЇХ ЧАСУ ЖИТТЯ ЗА ДОПОМОГОЮ ФОТОННОГО КРИСТАЛУ З ДЕФЕКТНОЮ МОДОЮ

Рубрика: 
ВАКУУМНА ТА ТВЕРДОТІЛЬНА ЕЛЕКТРОНІКА
Чернишов, БВ, Головащенко, РВ, Деркач, ВМ, Тарапов, СІ
Organization: 

Інститут радіофізики та електроніки ім. О.Я. Усикова НАН України
12, вул. Акад. Проскури, Харків, 61085, Україна
E-mail: boris.chernyshev@gmail.com
https://doi.org/10.15407/rej2017.04.049
Мова: англійська
Анотація: 

Метою роботи є експериментальне дослідження впливу властивостей кремнієвого дефектного шару діелектричного фотонного кристалу на спектральні властивості піку проход­ження. Показано вплив товщини дефектного шару на частоту дефектної моди. Показано та проаналізовано за допомогою фотонного кристалу можливість змінення характеристик піку проходження шляхом опромінення кремнієвого шару зеленим лазером. Експериментально знайдено, що опромінення призводить до зменшення коефіцієнта проходження на частоті дефектної моди, але не змінює частоту піка. Проведено чисельне оцінювання концентрації нерівноважних носіїв заряду та їх часу життя. Результати цієї роботи можуть бути використані у виробництві керованих пристроїв мілі­метрового діапазону довжин хвиль та в якості методу неруй­нівного контролю властивостей при виробництві напівпровід­ників.
Ключові слова: дефектний шар, напівпровідник, нерівноважні носії заряду, фотонний кристал

Стаття надійшла до редакції 27.09.2017
PACS 41.20.Jb, 71.20.Mq, 72.40. +w​
УДК 537.876.46
Radiofiz. elektron. 2017, 22(4): 49-54
Повний текст (PDF)
 

References: 
  1. Yablonovitch, E., 1987. Inhibited Spontaneous Emission in Solid-State Physics and Electronics. Phys. Rev. Lett., 58(20), pp. 2059–2062.
  2. Lin, S. Y., 1996. Photonic Band Gap Quantum Well and Quantum Box Structures: A High-Q Resonant Cavity. Appl. Phys. Lett., 68(23), pp. 3233–3235.
  3. Chernovtsev, S. V., Belozorov, D. P., Tarapov, S. I., 2007. Magnetically Controllable 1D Magnetophotonic Crystal in MillimeterWavelenght Band. J. Phys. D: Appl. Phys., 40, pp. 295–299.
  4. Bulgakov, A. A., Kononenko, V. K., 2011. Slow waves in a Periodic Structure with a Magnetically Active Semiconductor Layers. Radiofizika i Elektronika, 2(16)(2), pp. 63–70 (in Russian).
  5. Chernyshov, B., Tarapov, S. I., 2016. Manipulation of One-Dimension Photonic Crystal Spectrum via Perforated Silicon Slab. Prog. Electromagn. Res. Lett., 62, pp. 133–139.
  6. Yurchenko V., Ciydem M., Gradziel M., Murphy A., Altintas A., 2016. Light-controlled photonics-based mm-wave beam switch. Opt. Express, 24(15), pp. 16471–16478.
  7. Tarapov, S. I., Belozorov, D. P., 2012. Microwaves in Dispersive Magnetic Composite Media (Review Article). Low Temp. Phys., 38(7), pp. 766–792.
  8. Averkov, Yu. O., Tarapov, S. I., Kharchenko, A. A., Yakovenko, V. M., 2014. Surface electromagnetic states in the photonic crystal–ferrite–plasma-like medium structure. Low Temp. Phys., 40(7), pp. 667–674.
  9. Kharchenko, A. A., Tarapov, S. I., 2014. Defect Mode Formation in the Spectrum of a Spatially Bounded Photonic Finite-Size Crystal. Telecommunications and Radio Engineering, 73(6), pp. 547–553.
  10. Chernyshov, B., 2015. Influence of Charge Carrier Density in Silicon on Spectrum Band Structure of Photonic Crystal. In: Int. Young Scientists Forum on Applied Physics (YSF). Dnipropetrovsk, Ukraine, 29 Sept. – 2 Oct. DOI: 10.1109/YSF.2015.7333188
  11. Animalu, A., 1977. Intermediate Quantum Theory of Crystalline Solids. New Jersey: Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs.
  12. Born M., Wolf E., 1964. Principles of Optics: Electromagnetic Theory of Propagation, Interference and Diffraction of Light. Oxford, London, Edinburgh, New York, Paris, Frankfurt: Pergamon Press.
  13. Lyubchanskii, I. L., Dadoenkova, N. N., Lyubchanskii, M. I., Shapovalov, E. A., Zabolotin, A. E., 2006. Response of two-defect magnetic photonic crystals to oblique incidence of light:Effect of defect layer variation. J. Appl.Phys., 100(9), pp. 096110 (3 p.).
  14. Seeger, K., 1973. Semiconductor Physics. Wien, New York: Springer-Verlag.
  15. Bonch-Bruevich, V. L., Kalashnikov, S. G., 1977. Semiconductor Physics. Moscow: Mir Publ., pp. 347–359 (in Russian).
  16. Ryvkin, S. M., 1963. Photoelectric phenomena in semiconductors. Moscow: Fizmatlit Publ. (in Russian).
  17. Baranskiy, P. I., Klochlov, V. P., Potykevich, I. V., 1975. Semiconductor Electronics. Directory. Kyiv: Naukova Dumka Publ. (in Russian).