ТУННЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ВОЛН ЧЕРЕЗ ТРЕХСЛОЙНУЮ СТРУКТУРУ, СОДЕРЖАЩУЮ СЛОЙ С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТЬЮ

Предмет и цель работы. Эффект безотражательного прохождения электромагнитных волн через трехслойную структуру, содержащую слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью, имеет важное значение как для исследования фундаментальных свойств твердых тел, так и для создания новых типов уникальных технических устройств. Целью работы является исследование эффекта прохождения электромагнитных волн через трехслойную структуру, содержащую слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью в широком диапазоне параметров трехслойной структуры.

Методы и методология работы. Использован новый подход, основанный на введении безразмерных толщин слоев трехслойной структуры. Он позволил исследовать эффект безотражательного прохождения электромагнитных волн для различных длин волн и различных значений параметров трехслойной структуры, имеющей несимметричное диэлектрическое окружение.

Результаты работы. Показано, что наличие в трехслойной структуре слоя с отрицательной диэлектрической проницаемостью приводит к существенному смягчению ограничений на параметры слоев с положительной диэлект-рической проницаемостью. Так, эффект безотражательного прохождения электромагнитных волн будет иметь место при любом наперед заданном положительном значении величин диэлектрической проницаемости слоев, симметричным образом окружающих слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью. При этом параметры слоя с отрицательной проницаемостью должны быть выбраны соответствующим образом.

Заключение. Результаты исследования расширяют знания о механизмах туннелирования электромагнитных волн через трехслойные структуры, содержащие слой с отрицательной диэлектрической проницаемостью. Они могут быть использованы для создания новых типов высокочастотных твердотельных устройств, работающих в различных диапазонах длин волн.