• Українська
  • English
  • Русский
ISSN 2415-3400 (Online)
ISSN 1028-821X (Print)

СТАТИЧНИЙ ДОМЕН У ПРИЛАДІ З МІЖДОЛИННИМ ПЕРЕНЕСЕННЯМ ЕЛЕКТРОНІВ НА ОСНОВІ ВАРІЗОННОГО AlGaAs

Рубрика: 
ВАКУУМНА ТА ТВЕРДОТІЛЬНА ЕЛЕКТРОНІКА
Стороженко, ІП
Organization: 

Національний фармацевтичний університет
61002, м. Харків, вул. Пушкінська, 53
E-maіl:  storozhenko.igor@gmail.com
https://doi.org/10.15407/rej2015.03.090
Мова: російська
Анотація: 

Використання варізонних напівпровідників в однорідно-легованих приладах з ефектом міждолинного перенесення електронів може привести до виникнення статичного електричного домена. Інтерес до статичного домена продиктовано можливістю створення локальної напруженості електричного поля, достатньої для ударної іонізації зона–зона. Діоди з лавинною іонізацією в статичному домені можна використовувати як активні елементи генераторів шуму. У статті проводиться аналіз процесу формування статичного домена та лавинного множення струму в ньому на основі двотемпературної моделі варізонного AlGaAs. Показано, що для виникнення статичного домена за кімнатної температури необхідно, щоб мінімальне значення енергетичного зазору між Г-долиною і найближчою за енергією бічною долиною було менше теплової енергії електронів при швидкості зміни енергетичного зазору з координатою більше 150 еВ×см–1. Відповідно в приладах на основі Al0,36Ga0,64As–GaAs фор-мується катодний, а на основі GaAs–Al0,36Ga0,64As анодний статичний домен. Визначені варізонні напівпровідникові сполуки, в яких може формуватися статичний домен. Використання варізонної сполуки Al0,36Ga0,64As–GaAs з пониженим рівнем легування біля катода дозволяє збільшити ефективний та інтегральний коефіцієнти множення струму в порівнянні з аналогічним GaAs-діодом. Результати дослідження поширюють знання про фізичні процеси переносу носіїв заряду в складних напівпровідникових структурах. Вони можуть бути використані для технологічних розробок нових швидкодіючих приладів, таких як транзистори, діоди Ганна, діоди зі статичним доменом, лавинно-пролітні діоди, помножувачі частоти.
Ключові слова: варізонний напівпровідник, генератор шуму, діод Ганна, коефіцієнт множення струму, між-долинне перенесення електронів, статичний домен, ударна йонізація

Стаття надійшла  15.06.2015 г.
PACS     85.30.Fg, 61.72.uj, 85.30.De, 73.40.Lq
УДК 621.382.2
Radiofiz. elektron. 2015, 20(3): 90-95
Повний текст (PDF)
 

References: 
  1. Прохоров Э. Д. Генерация СВЧ-шума диодом Ганна с богатова, Е. С. Золотарев // Радиотехника и электрон. – 1976. – Вып. 21, № 8. – С. 1732–1739.
  2. Прохоров Э. Д. Шумовой спектр диода с катодным статическим доменом / Э. Д. Прохоров, С. Н. Скоробогатова // Радиотехника и электрон. – 1985. – Вып. 31, № 7. – C. 1447–1449.
  3. Прохоров Э. Д. Влияние параметров прикатодной области в диоде с катодным статическим доменом на порог генерации СВЧ-шума / лов // Радиофизика и электрон. – 2010. – 1(15), № 1. – C. 91–95.
  4. Стороженко И. П. Особенности возникновения и дрейфа волн объемного заряда в приборах с междолинным переносом электронов на основе варизонного GaPx(z)As1–x(z) / 12, № 1. – С. 243–249.
  5. Shiau Y. Stochastic postponement of the domain transitions and destabilization of current in the Gunn diode / Y. Shiau, Y. Cheng, C. Hu // Phys. Rev. E. – 1998. – 57, N 2. – P. R1227–R1230.
  6. Storozhenko I. P. Simulation of transferred electron devices with linearly graded composition of 3-5 threefold semiconductor in active zone / I. P. Storozhenko, E. D. Prokhorov, Yu. V. Arkusha // Int. J. Infrared and Millimeter Waves. – 2004. – 25, N 6. – P. 879–890.
  7. New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties [Электронный ресурс]. URL: http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/ Semicond/AlGaAs/ionization.html.