• Українська
  • English
  • Русский
ISSN 2415-3400 (Online)
ISSN 1028-821X (Print)

УДАРНА ІОНІЗАЦІЯ В КОРОТКИХ ДІОДАХ НА ОСНОВІ AlzGa1–zN

Рубрика: 
РАДІОФІЗИКА ТВЕРДОГО ТІЛА ТА ПЛАЗМИ
Боцула, ОВ, Приходько, КГ, Зозуля, ВО
Organization: 

Харківський національний університет імені В. Н. Каразіна

Харківський національний університет імені В. Н. Каразіна
майдан Свободи 4, 61022, Харків, Україна
E-mail: oleg.botsula@mail.ru
https://doi.org/10.15407/rej2016.04.083
Рубрика: РАДІОФІЗИКА ТВЕРДОГО ТІЛА ТА ПЛАЗМИ
Мова: Російська
Анотація: 

Освоєння міліметрового і терагерцового діапазонів є однією із актуальних задач радіофізики. Проте на сьогодні набір активних елементів, що здатні працювати у вказаних діапазонах, є обмеженим. Ударна іонізація в широкозонних нітридних сполуках представляє собою швидкоплинний процес і може бути використана в активних елементах зазначених діапазонів. У цій роботі досліджується перенессення заряду в коротких (з довжиною активної області менше 0,3 мкм) діодних структурах на основі AlzGa1–zN з метою визначення умов виникнення та особливостей ударної іонізації, а також її вплив на характеристики приладів. Показано можливість отримання локалізованої області з високою напруженістю електричного поля, достатньою для виникнення ударної іонізації та керування нею шляхом зміни розподілу складу AlzGa1–zN по довжині діода. Результатами досліджень є визначення основних закономірностей розвитку ударної іонізації в запропонованих діодних структурах. Вони є орієнтиром для подальшого деталь-ного аналізу фізичних процесів та практичної реалізації таких структур.
Ключові слова: варизонний шар, гетеро-перехід, діоди, домен, напруженість електричного поля, ударна іонізація

Стаття надійшла 14.11.2016
PACS     73.40.Kp
УДК 621.382.2
Radiofiz. elektron. 2016, 21(4): 83-88
Повний текст (PDF)

References: 
  1. Monte-Carlo simulation of diodes with a cathode static domain / E. D. Prokhorov, O. V. Botsula, A. V. Dyadchenko, I. A. Gorbunov // 23rd Int. Crimean Conf. Microwave and  Telecommunication Technology (CriMiCo 2013): proc. – 2013. – Vol. 1. – P. 139–140.
  2. Botsula O. V. Heterostructure-based diode with the cathode static domain / O. V. Botsula, K. H. Prykhodko // 9th Int. Kharkiv Symp. on Physics and Engineering of Microwaves, Millimeter and Submillimeter Waves (MSMW 2016): proc. – 2016. – P. E25(1)–E25(4).
  3. Aleskseev E. Microwave potential for GaN-based Gunn devices / E. Aleskseev, D. Pavlidis // Electronic Lett. – 2000. – 36, N 2. – P. 176–178.
  4. Large-signal analysis of terahertz generation in submicrometer GaN Diodes / E. A. Barry, V. N. Sokolov, K. W. Kim, R. J. Trew // IEEE Sensors Journal. – 2010. – 10, Iss. 2. – P. 765–771.
  5. Acharyya A. Potentiality of IMPATT Devices as THz Source / A. Acharyya, J. P. Banerjee // IETE J. Res. – 2013. – 59, Iss. 2. – P. 118–127.
  6. Levinshtein M. Breakdown phenomena in semiconductoes and semiconductors devises / M. Levinshtein, J. Kostamovaara, S. Vainshtein // Selected topics of electronic and system. – 36. – Singapore: World Scientific Publ., 2005. – 208 p.
  7. Influence of impact ionization on oscillation efficiency of short GaN-based diodes / O. V. Botsula, E. D. Prokhorov, D. S. Svergun, K. H. Prykhodko // 24thInt. Crimean Conf.  Microwave and Telecommunication Technology (CriMiCo 2014): proc. – 2014. – Vol. 1. – P. 143–144.
  8. Botsula O. V. Static Characteristics of the Graded Gap and Heterojunction Diodes Containing the Cathode Static Domain / O. V. Botsula, K. H. Prykhodko // 8th Int. Conf. on Ultrawideband and Ultrashort Impulse Signals (UWBUSIS 2016): proc. – P. 163–166.
  9. Vurgaftman I. Band parameters for III–V compound semi-conductors and their alloys / I. Vurgaftman, J. R. Meyer, L. R. Ram-Mohan // J. Appl. Phys. – 2001. – 89, N 11. – P. 5815–5875.
  10. Ильин В. И. Квазиэлектрические поля в полупроводниках и полупроводниковых структурах / В. И. Ильин // Соровский образовательный журн. – 2001. – 7, № 11. – С. 109–115.